新版網站搜索結果
2021-01-13 型號:VCSEL-20-M 貨號:A80170003
激光驅動電流 20mA;激光管驅動電壓最大值 4V;臺式;DB9輸出接口2021-09-16 型號:VCSEL-894.6-0.3 貨號:A80040028
正向電流 VF 典型值 1.78 V 輸出功率 Φ 典型值 0.3 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm2021-09-16 型號:VCSEL-795-0.13 貨號:A80040029
正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm2019-10-11 型號:PL-VCSEL-0850-1-1-PA-14BF 貨號:A80040014
中心波長 850nm;波長偏差 ±10nm; 輸出功率 >0.1mw;14pin蝶形封裝;保偏輸出2021-03-11 型號:PL-VCSEL-1654nm-3-SA 貨號:A80040024
中心波長 1654nm;輸出功率 2mW;光纖類型 SMF-28e;接頭 FC/APC.com 舊版網站搜索結果
10G光通訊用VCSEL激光器10G光通訊用VCSEL
VCSEL_高速通信VCSEL芯片高速通
VCSEL_10G長波長VCSEL芯片1
780nm 高速多模VCSEL激光器780nm 高速多模VC
780nm 高速多模VCSEL激光器850nm 單模VCSE
ilips 794.7nm單模VCSEL激光器_上海筱曉光子有限公司P
ips 760/763nm單模VCSEL激光器_飛利浦代理_上海筱曉光
852±1/ ±10 nm單模VCSEL激光器_飛利浦代理_上海筱曉光
ips 948 ±1 nm單模VCSEL激光器_飛利浦代理_上海筱曉光
Philips全波長系列VCSEL 激光器_飛利浦代理_上海筱曉
labs垂直腔面發射激光器 (VCSEL) 驅動_VCSEL Temp
世界首個太赫茲VCSEL激光器成功研發_筱曉(上海)光
1550nm 高速VCSEL激光器_飛利浦代理_上海筱曉光
Gbps垂直腔面發射激光器(VCSEL)1550nm 10 Gbps
Philips VCSEL激光器專用配套驅動底座Phil
HCl測量用1742nmVCSEL_ CO測量用1567nmVC
CO測量用1567nmVCSEL_氨氣測量用1512nmVCS
氣測量用1512nmVCSEL_氣體傳感器用VCSEL1氨氣
氣體傳感器用VCSEL1_HCl測量用1742nmV
1392nm水檢測VCSEL激光器_ CO測量用1567n
1654nm甲烷檢測VCSEL激光器_1392nm水檢測VC
1854nm水高檢測濃度VCSEL激光器_ CO測量用1567n
1854nm水高檢測濃度VCSEL激光器_ CO測量用1567n
760nm氧氣檢測VCSEL激光器_ O2檢測VCSEL激
1854nm水高檢測濃度VCSEL激光器_ CO測量用1567n
2012nm二氧化碳高檢測濃度VCSEL激光器_2004-2012nm
0mw15mw20mwSLD激光器產品SLD spcetrum5mw10mw15mw20mw25mwVCSEL spcetrum0.25mw0.50mw0.75mw1.00mwVCSEL激光器產品NL spce
波長 3:1310nm 5:1550nm 4:1490nm 激光器類型 F:FP DF:DFB V:VCSEL LED SLED SLED 輸出功率 0.5: 0.5mW 1: 1mW 2: 2mW 連接器 0
中紅外QCL TDLAS方案提供(以高溫NH3氨氣檢測為例)FP/DFB/VCSEL三種激?光器的比較在常用的三種激光中,FP激光比DFB激光容易產生,但FP激光的光線較寬(>1
中紅外QCL TDLAS方案提供(以高溫NH3氨氣檢測為例) VCSELs技術應用于?原子鐘飛利浦自主研發的VCSEL(面射型激光器)技術在定位以及信息技術領域,可提供精準
直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,簡稱VCSEL)是一種半導體,其激光垂直于頂面射出,與一般用切開的獨立芯片制程,激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同
窄線寬激光器1567nm VCSEL激光器產品描述:垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting
測介紹EP780-DM系列EP-1550-NLW系列EP-2020-FP系列HCl測量用1742nmVCSELCO測量用1567nmVCSEL氨氣測量用1512nmVCSEL氣體傳感器用VCSELNEL分布式反
體激光器14-pin BTF/DIL封裝 1260nm-1670nm超窄線寬單頻激光器1567nm VCSEL激光器筱曉光子TDLAS氣體檢測介紹EP780-DM系列EP-1550-NLW系列EP-2020-F
m、1627nm HBr 1343nm O2 760nm常用激光器的主要參數: 參數 DFB激光器 VCSEL激光器 超窄線寬激光器(外腔調諧) 功率 >5mW ?lmW >5mW -3dB光譜寬度
反饋(DFB)激光器用于CH4傳感的EP1654用于CO2傳感的EP-2000-DM系列氣體傳感器用VCSELHCl測量用1742nmVCSELCO測量用1567nmVCSEL氨氣測量用1512nmVCSEL筱
功率1550nm 8nm寬帶可調諧分布布拉格反射(DBR)半導體激光器線寬穩定激光系統1567nm VCSEL激光器
的經驗,可以為廣大科研和企業用戶提供全方位的技術咨詢和產品供應,可以為客戶提供專業的選型指導。 單模VCSEL激光二極管以幾種標準或常用波長覆蓋了從1400nm到2050nm整個近紅外范圍。垂直腔結構保證了低域
量AUZMS高速高分辨光纖光譜儀可用于對多模的光源進行光譜純度測量,廣泛應用于單模/多模激光二極管,VCSELs(垂直腔激光器)等激光器的研發、質量控制、過程控制等領域。上圖為多模激光二極管幾個模式的光譜圖。
擁有高度穩定性,非常適用于工業、航天環境以及一般實驗室或現場使用。高性價比:集合了控制DFB激光器、VCSEL激光器所需要的所有功能。多個壓力傳感器和溫度傳感器能測量環境和內部參數,通過光譜分析氣體濃度更精確,
以與PCI-1C(數據采集和光譜演示模塊)搭配使用,以得到實時的光譜測量和記錄,它們的組合能夠提供為VCSEL、DFB、ICL、QCL激光器光譜吸收完整的系統。 輸出:0-8V線性鋸齒斜坡或二次諧波形,可編程振
黑色 USB-C-72 72英寸USB 2.0高速延長電纜,黑色 UTM-1500 超快時域放大器 VCSEL-780 780納米,1.65毫瓦,TO-46,C型引腳,VCSEL激光二極管 VCSEL-850
器的芯片生成封裝制造商目前處于業內領先地位。筱曉光子作為飛利浦在大陸地區合作伙伴我們每年在中國銷售的VCSEL激光器數量都在成倍增長尤其是在光通訊,以及TDLAS,以及原子鐘領域。我們目前在國內占有大部分市場份
Vertilas_Vertilas代理德國Vertilas公司生產的氣體傳感器用VCSEL產品具有多種波長,滿足大多數常用有害氣體的探測要求。1742nmVCSEL可以用于HCl(氯化氫)氣
目錄搜索結果
筱曉光子的VCSEL 激光驅動器,采用全鋁制外殼,具有優異的散熱性能和外殼強度,以保證長期地穩定可靠運行。2.4 寸 OLED 顯示屏,字體大而清晰。內置低噪聲可調恒流驅動和TEC控制。我們自己研發設計的VCSEL驅動底座,可以使激光器的引腳方便的插入,便于測試。軟件控制操作,也可以外加調制信號。我們也可以根據激光器引腳定義進行定制。
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
憑借經過優化的光學特性,760nm-2004nm 單模DFB成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存760nm DFB用于TDLAS氧氣檢測,1512nm DFB用于TDLAS氨氣檢測,795nm VCSEL用于Rb原子鐘實驗,852nm VCSEL用于CS原子冷卻,2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳氣體檢測。
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。
LD-PD INC借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。
筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發明的高對比度光柵層(HCG),HCG比傳統的分布布拉格反射鏡(DBR)薄約50倍,但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍,調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。
半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件,而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器。它體積小、壽命長,并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦,其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出。由于這些優點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的應用。我們有如下類型的半導體激光器FP激光器 VCSEL激光器 QCL激光器 DFB激光器 ICL激光器 DBR激光器
圓錐形透鏡光纖,因為擴大了數值孔徑,增加了收集光的能力,所以十分適用于與輸出光束截面為圓形或者近似圓形的LD,DFB,SLD激光器或者VCSEL等的耦合。
850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。
VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。
我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。
PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模二極管激光器。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。我們的1550 nm單模VCSEL設計用于高速、高性能通信應用。
1310 nm垂直腔面發射激光器(VCSEL)封裝在帶有單模光纖尾纖的緊湊同軸外殼中。VCSEL-1310-SM設計用于光纖傳感、激光發射器和光通信應用。它需要非常低的驅動電流,并且可以通過內置TEC實現溫度穩定。
1550nm VCSEL是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模二極管激光器。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。
PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。
用于激光束輪廓分析的新型創新計量 1 英寸大探測器,20 MP,2.4 x 2.4 微米像素大小 激光束和 VCSEL 陣列的平行測量 從深紫外到 1350 nm 的大光譜范圍創新的 20 MP 大孔徑光束分析儀, 在 NIR 處具有更高的靈敏度,最高可達 1350 nm 用于多光束分析的多個活動區域 多功能 - 測量輪廓、功率和位置
該掃描波長激光器采用專用VCSEL激光芯片,可實現激光波長的高速掃描,單模光纖耦合輸出。專業設計的驅動與溫控電路控制保證激光器穩定工作,可提供臺式或模塊式封裝。
垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。
760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護.TO39封裝
PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全數字設計的控制板,專業用于TDLAS技術可調諧半導體激光器的控制,集成了兼容InGaAs和InAs探測器的前置放大器,以及一個專業提取二次諧波信號的FPGA-based全數字檢波器,FPGA-based激光驅動器和波形發生器;激光功率和二次諧波信號輸出;利用壓力和溫度傳感器調節回路,使輸出同步到外部數據采集系統。PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全數字設計的控制板,專業用于TDLAS技術可調諧半導體激光器的控制。
資訊搜索結果
在常用的三種激光中,FP激光比DFB激光容易產生,但FP激光的光線較寬(>1nm),波長的溫度漂移也較大(0.5nm/℃), 因此不適用于高速和/或遠程應用。
筱曉光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模半導體激光器。芯片為TO56封裝。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。它是專為高速光纖通信而設計的。產品特點TO-56 7針小型封裝集成TEC(溫度穩定)CW光輸出功率:典型值1.6mW(溫度為20°C時)單模VCSEL寬調諧范圍:>8nm高調制帶寬(10 Gbps)快速波長調諧(~100 kHz)技術參數參數單位數值最小典型最大光輸出峰值功率@25oCmW11.6操作電流mA01825閾值電流mA812工作溫度℃-402585斜率效率(CW,Tc=25°C)mW/mA0.140.18激光驅動電壓V01.52.5中心波長(請指定中心波長)nm15251575保證調諧范圍nm810最大調諧響應kHz100200邊模抑制比dB3040TEC電壓V0.351.5TEC電流A0.050.6實驗測試不加外部調制(1)? 1550nmTOSA激光器連接LC-APC連接線,再把激光器插入驅動底座,連接驅動器。連接線的另一端連接光譜儀或功率計。(2) USB線連接電腦,打開驅動軟件.在軟件上設置,最大電流20mA,設置成inter內部調制,SET一下,設置成功(3) 設置電流,打開激光器。測試結果光譜圖功率曲線圖用信號發生.....
垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。VCSEL激光器優勢7 Pin小尺寸非球面透鏡帽集成TEC控制溫度穩定輸出功率1.6mW單模,可以通過C-L波段具有寬譜調諧范圍:>8nm快速波長調諧(~100KHz)VCSEL激光器結構VCSEL激光的產生主要由三部分組成,即激光工作物質、泵浦源和光學諧振腔。利用泵浦源對工作物質進行激勵,形成粒子數反轉,發出激光。在通過底部和頂部反射鏡組成的諧振腔,在激光腔內放大振蕩,并從頂部反射鏡輸出,輸出的光線只集中在中間不帶有氧化層的部分輸出,形成了垂直腔面的激光發射,從而得到穩定,持續,有一定功率的高質量激光。技術參數條件:P=20°C,IO P=2.0mA,除非另有說明(P=芯片背面溫度.....
筱曉光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模半導體激光器。芯片為TO56封裝。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。它是專為高速光纖通信而設計的。
UCLA電子工程系副教授本杰明·威廉姆斯帶領的團隊(包括諾斯羅普·格魯曼公司航空航天系統的工程師),借助于UCLA的納米電子研究設施,成功研發了第一個太赫茲垂直腔表面發射激光器(VCSEL)。目前可見光波長范圍內的VECSEL已經廣泛用于發射高能光束,但在太赫茲頻率范圍內則之前未有應用。
太赫茲頻率范圍內的光波(處于微波和紅外線的電磁頻譜之間),可用于分析塑料、織物、半導體和藝術品,且不會損壞被檢測的材料;化學檢測和鑒定;研究行星的組成和大氣組分。研究人員說,該新裝置可作為一類新型高品質的激光器,用于空間探索,軍事和安檢等方面。